Estudo do efeito do autoaquecimento em transistores MOSFETs FinFETs.pdf

Estudo do efeito do autoaquecimento em transistores MOSFETs FinFETs PDF

Rodrigo DAngelo Mathias

Para tecnologias CMOS iguais ou menores que 22 nm, os dispositivos de efeito de campo verticais de múltiplas portas (MuGFETs) têm sido apontados como uma alternativa para substituir os dispositivos planares fabricados em lâminas de silício convencionais ou de Silício Sobre Isolante (SOI). No entanto, a escolha do melhor tipo de substrato é difícil devido a cada um apresentar vantagens diferentes em relação ao outro. Embora os dispositivos fabricados em substrato SOI apresentem algumas vantagens, como a excelente característica da inclinação de subliminar, valores de capacitâncias de fonte / dreno relativamente inferiores, e a eliminação do efeito de latch-up

simulações do efeito de auto aquecimento em transistores de diferentes comprimentos de canal polarizados com diferentes tensões de porta e dreno visando observar a distribuição da temperatura no interior dos dispositivos. Neste trabalho o estudo foi ampliado variando demais parâmetros como espessura do óxido enterrado. Foram feitas

9.77 MB DATEIGRÖSSE
9783330742727 ISBN
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